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SK하이닉스, 10나노급 D램 양산 돌입 의미는?
설동협 기자
2021.07.12 15:30:17
EUV 시대 돌입..."전 세대 대비 생산성 25% 향상, 수익성 개선 기대"
이 기사는 2021년 07월 12일 10시 40분 유료콘텐츠서비스 딜사이트에 표출된 기사입니다.
사진=SK하이닉스 제공

[팍스넷뉴스 설동협 기자] SK하이닉스가 D램(DRAM) 극자외선(EUV) 공정 시대에 본격 들어선다. D램 생산 효율이 개선되는 만큼, 매출 외형 성장에도 본격 탄력이 붙을 지 관심이 쏠린다.


SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8기가비트(Gbit) 모바일 D램 양산에 본격 돌입했다고 12일 밝혔다. 통상 반도체 업계에선 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있다. 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이어 1a는 4세대 기술로 불린다. 


4세대 기술이 적용된 이번 신제품은 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다. 특히 저전력 강점을 보강함으로써 탄소 배출을 줄일 수 있는 게 강점이다. SK하이닉스는 올 하반기부터 4세대 D램을 스마트폰 제조사들에게 본격 납품할 예정이다. 


앞서 SK하이닉스는 지난 2월 준공한 이천캠퍼스 내 M16 공장을 준공한 뒤, 차세대 D램 양산 준비에 열중해 왔다. M16 공장은 SK하이닉스가 2년간 약 3조5000억원을 투입해 세운 차세대 메모리 전초기지로 EUV 노광장비가 설비로 들어선 곳이다. 

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이번 4세대 D램의 경우 M16 공장의 미세공정이 처음 적용된 사례다. SK하이닉스의 EUV 공정 시대 돌입을 알리는 '신호탄'과 같은 성격인 셈이다. 그만큼 업계에선 SK하이닉스의 이번 4세대 D램 양산이 상당히 의미가 있다고 보고 있다. 특히 미세공정에 따른 생산효율이 향상될 예정인 만큼, 매출 외형 성장 발판을 마련했다는 평가가 따른다.


최근 반도체 기업들은 공정이 극도로 미세화되면서 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇따라 도입하고 있는 추세다. 향후 반도체 시장에선 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정짓는 중요한 요소로 꼽힌다. 


SK하이닉스는 이번 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠단 방침이다. 또, 신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높이는 효과를 기대하고 있다. 1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어났다. 올해 전세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 전망된다.


SK하이닉스는 이번 신제품에 이어, 지난해 10월 출시한 차세대 D램 DDR5에는 내년 초부터 4세대 기술을 적용할 방침이다.


조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장 부사장은 "이번 4세대 D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품"이라며 "EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것"이라고 말했다.

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