삼성전자 "내년 GAA 기반 3나노 양산"
'파운드리 포럼 2021' 개최...미세공정 양산 계획 발표
이 기사는 2021년 10월 07일 02시 00분 유료콘텐츠서비스 딜사이트에 표출된 기사입니다.

[팍스넷뉴스 설동협 기자] 삼성전자가 내년부터 게이트 올 어라운드(GAA) 기술을 3나노(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 반도체 공정에 도입한다. 또 2025년부터는 2나노 미세공정 시대를 열겠다는 계획이다.


최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장|삼성전자 제공


삼성전자는 6일(미국 현지시간) '파운드리 포럼 2021' 온라인 행사를 열고, GAA 기술 기반 미세공정 양산 계획을 발표했다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 이날 기조연설에서 "대규모 투자를 통해 생산 역량을 확대하고, GAA 등 첨단 미세공정 뿐만 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어갈 것"이라며 "코로나19로 인해 급격한 디지털 전환이 이뤄지고 있는 가운데, 고객들의 다양한 아이디어가 칩으로 구현될 수 있도록 차별화된 가치를 제공해 나갈 것"이라고 말했다.


삼성전자는 내년 상반기 GAA 기술을 3나노 공정에 도입해 초미세 공정 '속도전'에 나서기로 했다. GAA는 전력효율, 성능, 설계 유연성을 가지고 있어 공정 미세화를 지속하는데 필수적인 기술로 꼽힌다. 반도체는 더 얇게 설계할수록, 칩의 크기도 작아져 발열을 낮출 수 있다. 발열을 낮추면 전력 효율을 높일 수 있기 때문에 미세공정이 중요하다. 삼성전자에 따르면 GAA 기술을 적용한 3나노 공정은 핀펫 기반 5나노 공정 대비 성능은 30% 향상되며 전력소모는 50%, 면적은 35% 감소한다. 



삼성전자는 GAA 기반 3나노 양산을 시작으로 오는 2023년에는 3나노 2세대에 돌입할 전망이다. 또 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산에 돌입할 것으로 보인다.


삼성전자는 비용적인 측면에서의 효율성과 응용 분야별 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하기 위한 핀펫 기반 17나노 신공정도 발표했다. 17나노 공정은 28나노 공정 대비 성능은 39%, 전력효율은 49% 향상되며 면적은 43%가 감소된 것이 특징이다.


삼성전자는 새로운 17나노 공정을 평면 트랜지스터 기반의 28나노 이상 공정을 활용해 만드는 이미지센서, 모바일 디스플레이 드라이버 IC 등의 제품에도 적용할수 있을 것이라고 설명했다.


이 밖에 삼성전자는 기존 14나노 공정을 3.3V 고전압, eMRAM 지원 등 마이크로컨트롤러(MCU)에 적용할 수 있는 다양한 옵션을 개발해 IoT(사물인터넷), 웨어러블 기기 등 핀펫 공정의 응용처 다변화를 지원한다. 8나노 라디오 프리퀀시(RF) 플랫폼의 경우 5G 반도체 시장에서 6GHz 이하 mmWave(밀리미터파) 제품에서의 리더십을 확보한다는 계획이다.


삼성전자는 "공정기술, 라인운영, 파운드리 서비스를 한 차원 더 발전시켜, 빠르게 성장하는 파운드리 시장에서 경쟁력을 강화할 것"이라고 말했다.


한편 이번 '삼성 파운드리 포럼 2021'은 역대 파운드리 포럼 중 가장 많은 500개사, 2000명 이상의 팹리스 고객과 파트너들이 사전 등록하며 높은 관심을 끌었다.

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