삼성전자, TSMC에 반도체 미세공정 선전포고
2025년 2나노 시대 개막...파운드리 점유율 경쟁 신호탄
이 기사는 2021년 10월 07일 14시 19분 유료콘텐츠서비스 딜사이트에 표출된 기사입니다.

[팍스넷뉴스 설동협 기자] 삼성전자와 반도체 파운드리(위탁생산) 업계 1위인 대만 TSMC와의 미세공정 주도권 다툼을 본격화하고 있다. 삼성전자는 3나노(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 반도체 양산 시기를 TSMC보다 빠른 내년 상반기로 앞당기기로 했다. 아울러 2025년부터 적용할 2나노 공정에서는 3세대 게이트올어라운드(GAA) 구조 도입을 공식화하면서 사실상 선전포고에 나섰다는 분석이다. 


삼성 평택캠퍼스 생산라인|삼성전자 제공


삼성전자는 7일 '파운드리 포럼 2021' 온라인 행사에서 GAA 기술을 적용한 3나노 및 2나노 반도체 양산 계획을 공개했다. 3나노를 오는 2022년 상반기 내 도입한 뒤, 2025년엔 2나노 시대를 열겠다는 게 골자다. 


삼성전자가 초미세공정 양산 시기를 구체적으로 언급하게 된 것은 TSMC와의 미세공정 경쟁에 본격 임하겠단 의지로 풀이된다. 삼성전자의 양산 계획대로라면 3나노의 경우 TSMC보다 더 빠르다. 



현재 TSMC는 올해 3나노 반도체 공정 장비를 세운 뒤, 내년 하반기 양산에 돌입할 것으로 점쳐진다. 특히 2나노 미세공정은 아직 TSMC도 구체적인 양산 계획을 내놓지 않고 있다. 삼성전자가 TSMC보다 양산 시기를 더 앞당겨 놓은 만큼, 향후 양사 간 신경전이 치열해질 것이란 예상이 나온다.


삼성전자가 내세우고 있는 경쟁 요소는 독자 기술을 활용한 GAA다. GAA는 TSMC가 3㎚ 공정에 적용하기로 한 핀펫(FinFET) 기술보다 전력 효율과 성능 면에서 더 우수한 것으로 알려졌다. 미세공정의 핵심인 전력 효율성면에서 GAA가 적용된 제품이 더 뛰어난 만큼, 경쟁력이 상당하다는 평가다. 


삼성전자가 파운드리 초미세공정에 본격 승부수를 띄운 것은 그간 오너리스크 등으로 파운드리 미세공정 부문에서 숨죽이고 있는 동안 경쟁사인 TSMC가 공격적인 투자 행보를 이어간 것잉 영향을 끼쳤다. 


TSMC는 오는 2024년까지 총 1280억달러(약 147조원)를 설비 투자에 쏟아붓겠다고 선언했다. 미국 애리조나주에도 360억달러를 추가 투입해 생산라인 6개를 늘리기로 한 상태다. 


반면 삼성전자의 경우 공식적으론 차세대 파운드리 생산기지인 평택캠퍼스 3라인 건설이 전부다. 미국 내 두 번째 파운드리 공장 건설 계획과 관련해서도 투자 규모만 밝혀졌을 뿐, 공장 건설 지역과 시기 등 세부적인 결정을 아직까지 내리지 못하고 있다. 


엎친 데 덮친 격으로 삼성전자와 TSMC 간 점유율 격차도 올 상반기 들어 더 벌어진 상황이다. 시장조사업체 카운터포인트리서치가 발표한 자료를 보면, 글로벌 파운드리 시장에서 삼성전자는 올 1분기 17%였으나, 2분기 들어 14%로 3% 포인트 하락했다. 반면 TSMC는 같은 기간 55%에서 58%로 늘어났다. 삼성전자의 점유율 감소분이 대부분 TSMC로 흡수됐다는 의미다.


오는 2030년 시스템반도체 종합 1위를 목표로 하고 있는 삼성전자로선 발등에 불이 떨어진 셈이다. 


시장에선 삼성전자가 반도체 미세공정 로드맵을 구체화한 만큼 시장 판도가 달라질 가능성이 있다는 분석이 나온다. 당장 3나노 경쟁은 차치하더라도, 초미세공정의 최대 격전지인 2나노 분야에서 TSMC가 삼성전자의 양산 시점보다 늦어질 경우 점유율 지각 변동이 생길 수 있다는 것이다. 구글, 퀄컴, 애플 등 초미세공정 제품을 기다리는 글로벌 고객사를 선점할 수 있다는 이유에서다.


반도체업계 관계자는 "초미세공정 경쟁에서 분위기 주도권을 잡기 위해 선제적으로 양산 시기를 발표한 것으로 판단된다"며 "추후 2나노 양산 시점을 전후로 삼성전자와 TSMC 간의 점유율 쏠림 현상은 가속화할 것"이라고 말했다.

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