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'복권' 이재용, 반도체부터 챙겼다
이수빈 기자
2022.08.19 15:12:11
기흥 R&D단지 기공식 참석…2028년까지 20조원 투입
이재용 삼성전자 부회장(왼쪽에서 두번째)이 기흥 반도체 R&D단지 착공식에 참석한 모습. 사진제공/삼성전자

[딜사이트 이수빈 기자] 이재용 삼성전자 부회장이 복권 후 첫 현장행보로 기흥캠퍼스 연구개발(R&D)단지 착공식을 찾았다. 미세화 공정이 한계에 다다르면서 차세대 반도체 기술 개발을 통한 초격차 확보에 힘을 싣기 위한 행보로 풀이된다.


삼성전자는 19일 경기도 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 R&D 단지 착공식을 개최했다고 밝혔다. 행사에는 이 부회장을 비롯해 경계현 DS부문장, 정은승 DS부문 최고기술책임자(CTO) 등 임직원 100여명이 참석했다.


이날 이 부회장은 "'반도체 산업은 시장성이 클 뿐만 아니라 타 산업에 파급효과가 큰 고부가가치 산업'이란 이병철 선대회장의 말씀을 되새기며, 위기에 흔들리지 않고 글로벌 시장을 선도할 수 있는 초격차 기술력을 확보해야 한다"고 당부했다. 또한 "차세대뿐만 아니라 차차세대 제품에 대한 과감한 R&D 투자가 없었다면 오늘의 삼성 반도체는 존재하지 못했을 것"이라며 "기술 중시와 선행 투자의 전통을 이어 나가며 세상에 없는 기술로 미래를 만들어야 한다"고 말했다.


이 부회장이 첫 현장행보로 R&D단지를 택한 배경에는 대만 TSMC를 추격하기 위해 3나노 수율 확보는 물론 3나노 공정 이후의 첨단 기술 개발이 중요해졌기 때문이다. 시스템반도체 분야는 현재 초미세공정이 물리적 한계에 가까워지면서 게이트올어라운드(GAA) 등 새로운 트랜지스터 기술과 패키징 등으로 칩 성능을 개선을 이뤄야 하는 상태다.

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메모리반도체도 최근 미국 마이크론이 232단 낸드플래시를 개발한 데 이어 SK하이닉스가 238단 낸드 개발에 성공하는 등 초고적층 경쟁이 가속화되고 있다. 이에 따라 이 부회장은 착공식에 참석해 기흥 R&D단지를 반도체 분야의 핵심 연구기지로 키워 초격차 기술을 확보하겠다는 의지를 드러낸 것으로 풀이된다.


기흥캠퍼스는 1983년 삼성의 반도체 사업이 태동한 곳으로 1992년 세계 최초 64M D램 개발, 1992년 D램 시장 1위 달성, 1993년 메모리반도체 분야 1위 달성 등 '반도체 초격차'의 초석을 다진 곳이기도 하다. 이곳에 들어설 R&D 단지는 약 10만9천㎡(3만3천여평) 규모로 건설된다.


삼성전자는 "기흥 반도체 R&D단지는 미래 반도체 기술을 선점하기 위해 메모리, 팹리스 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 분야 최첨단 복합 연구개발 시설로 조성될 계획이다"고 밝혔다. 이를 위해 삼성전자는 기흥 반도체 R&D 단지 조성에 2025년 중순 가동 예정인 반도체 R&D 전용 라인을 포함해 2028년까지 약 20조원을 투자할 계획이다.


또한 삼성전자는 기흥 R&D 단지 건설을 통해 국내외 소재·장비·부품 분야 협력회사들과의 R&D 협력을 더욱 강화할 예정이다. 

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