안내
뉴스 랭킹 이슈 오피니언 포럼
산업 속보창
Site Map
기간 설정
 LG에너지솔루션
삼성전자, 1000단짜리 낸드플래시 내놓는다
이수빈 기자
2022.10.06 15:31:32
'삼성 테크데이 2022'...'신기술로 시장 패러다임 전환'
5일(현지 시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 메모리사업부장 이정배 사장이 발표를 하고 있는 모습. 사진제공/삼성전자

[팍스넷뉴스 이수빈 기자] 삼성전자가 차세대 반도체 로드맵을 공개했다. 내년 '5세대 10나노급' D램을 양산하고, 낸드 플래시의 경우 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하겠다는 계획이다.


삼성전자는 5일(현지 시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 테크 데이 2022'를 개최했다. 이 행사는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리로, 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.


이날 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 5세대 10나노급 D램과 8세대·9세대 V낸드 등 차세대 제품 로드맵을 공개하면서 "삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량 1조GB(기가바이트)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 정도로 디지털 전환이 급격하게 이뤄지고 있다"며 "향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 함께 진화하며 발전해 나갈 것"이라고 말했다.


삼성전자는 내년 5세대 10나노급 D램을 양산하는 동시에 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate) 공정을 포함한 새로운 공정 기술 적용과 차세대 제품 구조를 통해 공정 미세화 한계를 극복할 계획이다. 현재 D램은 4세대 10나노급이 생산 중이다.

관련기사 more
'메모리 한파' 삼성전자, 3분기 '어닝쇼크' "TSMC는 부활한다" 이재용-손정의, 빅딜 논의 없었다 삼성전자, 2027년 1.4나노 양산 선언

또한 삼성전자는 폭발적으로 증가하고 있는 데이터 사용량을 감당하기 위해 HBM-PIM, AXDIMM, CXL 메모리 등 다양한 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 D램 기술을 성장시킬 계획이다.


낸드플래시와 관련해 삼성전자는 "올해 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1TB(테라바이트) TLC(트리플레벨셀) 제품을 양산할 것"이라고 밝혔다. 또한 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb(기가바이트) TLC 제품도 공개했다. 이는 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이다.


특히 삼성전자는 이날 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝혀 이목을 끌었다. 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시하기 위해 이 같은 계획을 공개한다는 설명이다.


삼성전자는 데이터센터, 인공지능 등 대용량 데이터가 필요한 다양한 고객 니즈에 대응하기 위해 QLC(쿼드 레벨셀) 생태계를 확대하고, 전력 효율도 개선해 고객들의 친환경 경영에 기여해 나갈 계획이다.


시스템반도체와 관련해선 제품 간 시너지 극대화를 통해 '통합 솔루션 팹리스'로 거듭나겠다는 계획을 밝혔다. 삼성전자는 현재 시스템온칩(SoC), 이미지센서, 모뎀, 디스플레이 구동칩(DDI), 전력 반도체(PMIC), 보안솔루션 등 약 900개의 시스템 반도체 포트폴리오를 보유하고 있다. 이에 더해 제품 기술을 융합한 '플랫폼 솔루션'으로 고객 니즈에 최적화한 통합 솔루션을 제공해 나간다는 계획이다.


박용인 삼성전자 시스템LSI사업부장 사장은 "자사는 SoC, 이미지센서, DDI, 모뎀 등 다양한 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 통합 솔루션 팹리스가 될 것"이라고 밝혔다.


향후 삼성전자는 고객들에게 차세대 메모리 솔루션 개발·평가를 위한 최적화된 환경을 제공하는 '삼성 메모리 리서치 센터(SMRC)'를 오픈하고, 레드햇, 구글 클라우드 등과 협력할 예정이다. 

ⓒ새로운 눈으로 시장을 바라봅니다. 팍스넷뉴스 무단전재 배포금지

팍스넷뉴스 2023 경제전망포럼
Infographic News
업종별 회사채 발행 현황
Issue Today more