[딜사이트 이수빈 기자] SK실트론이 무선통신용 반도체와 전력 반도체 소재로 각광받고 있는 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 시장에 진출한다.

SK실트론은 지난 6일 구미 본사에서 글로벌 에피택셜(Epitaxial) 웨이퍼 제조사인 영국 IQE와 전략적 협력 협약(SCA)을 체결했다고 11일 밝혔다. 양사는 고객사 요구사항에 따라 맞춤형 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 아시아 시장 마케팅을 통한 시장 확대를 위해 협력한다.

IQE는 첨단 화합물 반도체 웨이퍼와 소재 솔루션을 전세계 반도체 제조사에 공급하고 있는 글로벌 기업이다. 기술 진입장벽이 높은 화합물 에피택셜 웨이퍼 시장에서 글로벌 1위를 차지하고 있다.

GaN 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼와 실리콘 카바이드 웨이퍼 위에 GaN 박막을 증착시키는 방법으로 만들어진다. 기존 웨이퍼에 비해 고전압 환경에서도 전력 변환 효율이 높은 것이 특징이다. 급속 충전처럼 고출력과 내열성을 요하는 전기차와 스마트기기, 5G 기반의 고속 네트워크 장비 등 다양한 분야에서 사용할 수 있어 최근 수요가 급증하고 있다.

SK실트론은 실리콘 웨이퍼 사업과 함께 첨단 반도체 소재로 사업 확장에 나서며 미래 성장 동력을 강화해나가고 있다.

장용호 SK실트론 사장은 "첨단소재 분야에서 양사가 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 마케팅을 통해 아시아 시장 확장의 기반을 마련했다"며 "IQE와의 협력이 획기적인 성공으로 이어져 더 다양한 분야에서의 협력 관계로 발전하길 기대한다"고 말했다.

아메리코 레모스 IQE 최고경영자(CEO)는 "자사의 GaN 웨이퍼 제조기술과 SK실트론의 웨이퍼 역량의 시너지를 통해 혁신적인 솔루션을 출시할 것"이라고 말했다.