삼성전자, 브로드컴과 세계최초 하이브리드 CXL 공개
美서 AI 시대 이끌 차세대 메모리 CXL·HBM 소개


[딜사이트 김민기 기자] "12단 5세대 HBM과 32기가비트(Gb) 기반 128기가바이트(GB) DDR5 제품을 올해 상반기에 양산하겠습니다."(황상준 삼성전자 D램 개발실장 부사장)


삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL)와 고대역폭메모리(HBM) 등 인공지능(AI) 시대를 이끌 차세대 메모리 반도체 솔루션을 소개했다. 브로드컴의 VM웨어도 삼성전자의 하드웨어 기술과 결합된 자사의 소프트웨어 솔루션이 어떻게 메모리 혁신의 지평을 넓히고 있는 지에 대해 밝혔다. 


삼성전자는 미주 메모리연구소장인 최진혁 부사장과 D램 개발실장인 황상준 부사장이 26일(현지시간) 미국 캘리포니아주 마운티뷰 컴퓨터 역사 박물관에서 열린 '멤콘(MEMCON) 2024' 기조연설을 했다고 밝혔다.


최 부사장과 황 부사장은 이날 AI 시대 CXL 기반 메모리와 고성능, 고용량 HBM 솔루션이 업계 혁신을 주도하고 있다고 설명했다. 나아가 용량 측면에서는 CXL, 대역폭 측면에서는 HBM 기술이 미래 AI 시대를 주도해 나갈 것이라고 강조했다.


최 부사장은 "메모리 시장의 선두주자로서 업계에서 가장 앞선 CMM-B 기술부터 고성능 컴퓨팅 및 AI 애플리케이션을 위한 HBM3E와 같은 강력한 메모리 솔루션까지 혁신을 계속해서 발전시키는 것을 자랑스럽게 생각한다"며 "파트너와 협력하고 고객에게 서비스를 제공해 AI 시대의 잠재력을 함께 최대한 활용하겠다"고 전했다. 


그는 CXL 생태계의 성장 모멘텀을 강조하면서 CXL 기반의 다양한 혁신 솔루션을 발표했다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 중앙처리장치(CPU)와 쓰이는 가속기, D램 등을 연결해 데이터 처리 속도를 높이는 고속 입출력 인터페이스 표준(PCIe) 기반 차세대 인터페이스다. 메모리 확장성을 높여 용량을 늘리는 데 이점이 크다. 메모리 자원의 효율적인 관리가 가능하고 시스템의 안전성을 높일 수 있다. 


특히 이날 삼성은 최첨단 CXL DRAM 메모리 풀링 제품인 CXL 메모리 모듈 CMM-B(Box)를 출시했다. CMM-B는 E3.S 폼 팩터의 CMM-D 장치 8개를 수용할 수 있으며 최대 2테라바이트(TB)의 용량을 제공한다. 


삼성전자는 IT 솔루션 분야의 글로벌 리더인 슈퍼마이크로(Supermicro)와 제휴해 확장 가능하고 구성 가능한 분리형 인프라를 위한 업계 최초의 메모리 솔루션을 시연했다. 삼성의 CMM-B를 활용해 메모리 용량과 대역폭을 늘려 데이터센터의 작업 부하를 처리했다. 더불어 VM웨어와는 계층형 메모리용 CXL 메모리 모듈 하이브리드(CMM-H TM)라는 세계 최초의 FPGA 기반 계층형 메모리 솔루션인 피베리(Peaberry) 프로젝트도 선보였다. AIC(애드인 카드) 폼 팩터에 D램과 낸드플래시를 결합해 함께 사용하는 형태로, 메모리 관리 문제를 해결하고 가동 중지 시간을 줄여 성능을 최대화한다. 


폴 터너 브로드컴 부사장은 "메모리 분야에 새로운 혁신을 가져오기 위해 삼성과 협력하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며 "삼성의 메모리 기술 리더십과 VMware의 소프트웨어 메모리 계층화 리더십은 CXL의 새로운 혁신을 가능하게 한다"고 전했다.


이외 삼성은 CXL 메모리 모듈인 CMM-D(DRAM) 기술도 선보였다. CXL 개방형 표준 인터페이스와 통합된 삼성의 DRAM 기술을 사용해 CPU와 메모리 확장 장치 간의 효율적이고 지연 시간이 짧은 연결을 촉진하는 기술이다. 오픈소스 소프트웨어 솔루션 분야의 글로벌 리더인 레드햇(Red Hat)은 지난해 업계 최초로 엔터프라이즈 소프트웨어로 삼성의 CMM-D 장치를 성공적으로 검증했다. 


최 부사장은 "삼성전자만의 다양한 CXL 기반 솔루션을 통해 메모리 용량과 대역폭을 대거 향상시킬 수 있다"며 "지속적인 메모리 혁신과 파트너들과의 강력한 협력을 통해 AI 시대 반도체 기술 발전을 이끌겠다"고 답했다. 


한편 황상준 부사장은 삼성전자의 D램, HBM 솔루션 기술력을 소개하며 AI 시대 고성능 고용량 메모리 리더십을 이어가겠다고 전했다. 현재 양산 중인 HBM 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) 제품에 이어 12단 5세대(HBM3E)와 32Gb 기반 128GB DDR5 제품을 상반기에 양산하겠다고 예고했다. 6세대(HBM4) 제품의 경우 버퍼 다이(Buffer Die)에 로직 공정을 도입해 AI 시대 메모리 반도체 혁신을 이어간다는 계획이다.

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