[딜사이트 김민기 기자] 삼성전자가 내년도에 SK하이닉스로부터 고대역폭메모리(HBM) 시장 1위 탈환을 위한 설비투자(CAPEX)를 위해 자회사와 해외법인 등으로부터 실탄을 끌어모으고 있다. 내년도 설비투자는 D램, 낸드플래시 등 주요 생산 품목에 대해서는 올해 대비 보수적으로 집행할 예정인 반면, 인공지능(AI) 수요와 함께 떠오르고 있는 HBM 등에 대한 설비투자는 늘릴 계획이라 막대한 현금이 필요한 까닭이다.

삼성전자의 곳간이 비고 있다. 2019년(104조8655억원) 처음으로 100조원이 넘는 현금성자산을 보유한 이후 ▲2020년 121조8957억원 ▲2021년 120조7812억원 ▲2022년 114조8127억원을 기록하며 꾸준히 100조원 이상을 유지했다. 그러나 올해 상반기에는 97조999억원을 기록했고 3분기에도 93조1029억원으로 감소했다. 작년 말과 비교하면 9개월 새 21조7098억원이나 현금이 유출됐던 셈이다.

삼성전자가 아무리 우량한 재무구조를 가지고 있다고 하더라고 반도체 투자에 매년 40~50조원씩 투자하는 상황에서 이 같은 현금성자산 감소는 우려스러운 부분이다. 특히 삼성전자는 그동안 본사가 보유한 자금으로 투자와 배당을 이어왔다. 별도 기준으로 보면 3분기 삼성전자의 현금 및 현금성 자산은 10조5395억원에 불과하다. 통상 20~30조원의 별도기준 현금성자산을 통해 설비투자와 배당 등을 진행해 왔다. 하지만 반도체 적자로 10조원대로 줄면서 설비투자에 어려움을 겪는 중이다.

이에 삼성전자는 자회사와 해외법인 등으로부터 실탄을 끌어모으고 있다. 이미 삼성전자는 자회사 삼성디스플레이로부터 지난 1분기 10조원을, 2분기 중 11조9900억원을 추가로 빌렸다. 3분기에도 해외 사업장의 유보금을 국내로 대거 들여왔다. 올해 3분기 기준 삼성전자의 기타수익 항목 중 배당금 수익은 7조2465억원이다. 삼성전자 배당금 수익은 3분기까지 누적으로 29조923억원을 기록 중이다. 올해 상반기에만 21조8457억원을 배당 받았으며 이는 지난해 상반기 배당액 1378억원 대비 150배 이상 증가한 금액이다. 삼성디스플레이와 해외 법인으로부터 끌어온 실탄은 3분기말 기준으로 무려 50조원에 달한다.

그동안 삼성전자는 해외 법인과 자회사가 보유한 현금을 본사로 가져오지 않은 것은 환 리스크와 세금 등 복잡한 요소들이 많았기 때문이다. 중국 등 외환 통제가 강한 국가에서는 외환 거래 감시가 엄격해 현지 법인의 현금성 자산을 끌어오는 게 쉽지 않을 것이라는 분석도 나왔다. 또 해외법인 자금을 현지 투자나 인수합병(M&A) 등에 사용할 가능성이 높았다. 하지만 올해 본사 자금이 반도체 적자로 바닥이 나면서 해외 자금을 배당형 식으로 가져와 실탄을 마련하고 있는 상황이다.

삼성전자가 이처럼 실탄을 마련하는 것은 내년도 설비투자에 대비하기 위함이다. 올해 3분기까지 이 회사의 설비투자액은 36조6997억원이며, 이중 DS부문이 33조4408억원을 차지했다. 이는 역대 3분기 누적 기준으로 최대 규모다. 올해 대대적인 감산을 기록했음에도 투자금이 늘어난 것은 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부 확대에 힘을 쏟고 있기 때문이다. 평택3기(P3) 설비투자와 새로 짓기 시작하는 P4 골조 투자에 일부 비용이 투입됐을 것으로 예상된다.

반면 SK하이닉스는 올 3분기까지 약 4조1980억원을 투자해 전년 동기 12조9150억원 대비 67% 급감했다. 하지만 내년부터 SK하이닉스도 HBM에 대대적으로 투자를 준비하고 있다. 이에 일각에서는 투자 규모가 10~14조원 수준의 달할 것이란 관측도 나오고 있다. 

이에 삼성전자 역시 HBM투자에 힘을 싣지 않을 수 없다. 삼성전자는 2020년 38조4969억원, 2021년 48조2222억원, 2022년 53조1153억원을 기록했다. 내년 투자 기조는 삼성전자와 SK하이닉스 모두 보수적으로 진행될 예정이지만 HBM 투자는 크게 늘릴 전망이다.

특히 HBM 생산능력 확보를 위해 필수적인 실리콘관통전극(TSV) 관련 설비투자는 최우선적으로 고려되고 있다. 올해 4분기 기준 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 생산능력은 올해 말 대비 각각 2.5배 증설될 계획이다. 특히 내년 안에 삼성전자가 SK하이닉스의 HBM 점유율을 뛰어넘기 위해 총력을 기울이는 만큼 HBM 관련 캐팩스 투자도 늘어날 가능성도 나온다.

업계 관계자는 "차세대인 1b나노미터(nm) D램과 238단 낸드 양산 체제로의 전환 투자는 보완투자 위주로 이뤄지고 HBM은 과감한 투자가 진행될 것"이라면서 "HBM3와 HBM3E의 경우 고객들의 추가 수요 논의도 들어오고 있는 만큼 2025년 물량까지 확보하려면 생산능력을 확대할 필요가 있다"고 전했다.