[딜사이트 한보라 기자] SK하이닉스가 미국의 대(對)중 반도체 제재 영향이 현재 일부 해소된 상태라고 밝혔다. 미국 정부와 협상 끝에 지난해 연말부터 10나노미터(nm=10억분의 1)급 4세대 D램(1a)을 현지 장쑤성 우시 팹(공장)에서 생산할 수 있게 되면서다. 

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 27일 경기 이천시 SK하이닉스 본사에서 진행된 제76기 정기 주주총회에서 "지난해 10월 미국 정부로부터 일종의 라이센스를 받아 1a D램은 중국 우시 팹에서 생산할 수 있게 됐다"며 "(규제 대상인) 극자외선(EUV) 노광공정만 국내 생산 시설에서 처리하는 방식"이라고 설명했다. 

SK하이닉스는 미국의 강도 높은 대중 규제로 D램 사업 확대에 애로를 겪어 왔다. 미국 정부는 2019년부터 글로벌 반도체 장비 회사가 중국 내 첨단 장비를 반입할 수 없도록 규제해왔다. 네덜란드 ASML의 EUV 노광기가 대표적인 예시로 꼽힌다. 

D램 핵심 거점을 중국에 두고 있던 SK하이닉스로서는 규제 해소가 절실했다. SK하이닉스는 전체 D램 생산량의 40%를 중국 우시 팹에서 생산해왔다. 이에 지난해 10월 SK하이닉스는 조율 끝에 미국 정부로부터 '검증된 최종 사용자(VEU)' 지정을 획득, 우시 팹에 18㎚ 이하 D램 생산 장비를 반입할 수 있게 됐다. 

하지만 VEU 지정에도 현지 EUV 노광기 반입은 불가능하다. 결국 SK하이닉스는 우시 팹에서 생산한 D램을 국내 공장에 반입한 뒤 EUV 공정을 진행, 마무리 작업 후 출고하기로 결정했다. 10나노급 1a D램에는 EUV 공정이 1차례만 필요하기 때문에 가능한 조치다. 

곽 사장은 최근 극심한 미중 갈등 속 중국을 방문하기도 했다. 곽 사장은 현지 시간 23~24일 중국 베이징에서 열린 중국발전고위급포럼(CDF)에 참석, 왕원타오 중국 상무부장(장관)과 회동했다. 지난해 SK하이닉스 전체 매출 가운데 중국 비중은 약 31%. 미국과 중국 시장 모두를 포기할 수 없는 만큼 심혈을 기울이는 모습이다. 

그는 "중국 양회가 끝난 뒤 방문했다"며 "현지에서 사업을 진행하는 데 있어 경영 환경, 정책 변화 등을 점검하고 저희 사업에 반영할 부분이 있을지 전략적으로 점검하기 위한 차원이었다"고 설명했다. 그러면서 "현지 모바일 시장 반전 기미가 확연하고 PC나 데이터센터 등도 따라올 것으로 보여 중국 비즈니스 환경도 전년보다 개선될 것"이라고 했다.

한편 미국 내 고대역폭메모리(HBM) 패키징 공장 구축에 대해서는 말을 아꼈다. 앞서 월스트리트저널(WSJ)은 현지 시간 기준 26일 SK하이닉스가 미국 인디애나주 서부에 40억달러(약 5조3000억원)을 들여 첨단 반도체 패키징 공장을 구축할 것으로 보도했다. 

이에 대해 곽 사장은 "미국 현지 패키징 공장 부지를 검토 중이긴 하지만 확정되진 않았다"며 "확정되면 말하겠다"고 전했다.