[딜사이트 김민기 기자] 삼성전자가 올해 4분기 SK하이닉스에 이어 D램 흑자전환이 가시화 되고 있다. D램 흑자전환에는 낸드플래시 적자폭 감소, 고대역폭메모리(HBM) 수익성 강화, 재고평가손실 축소 등이 변수로 작용할 전망이다. 특히 최근 삼성전자도 엔비디아와 HBM 계약을 맺은 것으로 전해졌고, D램과 낸드의 가격도 4분기 들어 서서히 오르고 있어 메모리 반도체 시장이 예상보다 빠르게 회복세를 보일 것으로 분석된다.

27일 에프앤가이드에 따르면 삼성전자는 4분기 매출 69조6637억원, 영업이익 3조5650억원을 기록하며 전년보다 각각 1.14%, 17.21% 감소할 전망이다. 올해 연간 매출은 260조8422억원으로 전년 302조2314억원보다 13.6% 감소하고 연간 영업이익은 7조3443억원으로 전년 43조3766억원보다 83% 줄어들 것으로 예상되고 있다.

연간 영업이익이 10조원을 넘기지는 못할 것으로 보이지만 그동안 삼성전자의 실적을 억눌렀던 반도체(DS) 부문의 적자폭은 줄어들 것으로 기대되고 있다. 실제 DS 부문은 올해 1분기 4조5800억원, 2분기 4조3600억원, 3분기 3조7500억원 등 총 12조6900억원의 적자를 기록했다. 하지만 4분기에는 DS부문 영업손실이 9712억원 수준으로 줄어들 것으로 전망하면서 D램이 흑자전환할 수도 있을 것이라는 전망이 조금씩 나오고 있다.

김동원 KB증권 리서치본부장은 "최근 9개월간 1조8000억원의 적자를 기록한 D램 사업의 4분기 영업이익이 7349억원으로 추정돼 지난해 4분기 이후 1년 만에 흑자전환이 예상된다"며 "내년 삼성전자의 영업이익은 전년 대비 4.6배 증가한 33조3000억원, 반도체 부문은 올해 15조 적자에서 12조 흑자로 27조원 손익 개선이 추정된다"고 말했다.

무엇보다 흑자전환을 위해서는 메모리반도체 제조사들의 실적을 갉아먹고 있는 낸드의 반등이 절실하다. 다행스러운 점은 최근 낸드 가격이 바닥을 찍고 반등하고 있고, '온디바이스 인공지능(AI)'을 적용한 스마트폰·PC의 등장으로 낸드 수요가 되살아나고 있다는 점이다. 반도체 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 지난 11월 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb MLC)의 평균 고정거래가격은 전달보다 5.41% 올랐다.

특히 삼성전자가 4분기 들어 역대급 낸드 감산을 진행 중이라 가격 반등 기대감은 더욱 커지고 있다. 스마트폰, PC 업체들이 12월부터 D램과 낸드의 패닉 바잉(공황 매수) 구매 패턴을 나타내며 올 4분기와 내년 1분기 가격이 직전 분기 대비 18~23%의 상승이 예상되고 있다. 나아가 미국 반도체 기업 웨스턴디지털은 내년 낸드 가격을 최대 55% 올릴 계획이라고 밝히기도 했다. 중국 스마트폰 업체들이 재고 소진으로 부품 구매가 필요한 시점인 데다 메모리 가격이 연말 들어 큰 폭 인상되자, 가격이 더 오르기 전에 제품을 구매하려고 하면서 재고 비축 심리가 커지고 있는 것이다.

반도체 업계 관계자는 "올해 4분기에 삼성전자가 낸드는 거의 생산이 아닌 재고만 판매했다는 말이 나올 정도로 감산을 강하게 했다"며 "중국 시안 낸드 공장은 공정 전환(테크 마이크레이션)으로 거의 공장을 스톱시키고 더 이상 가격을 낮춰서 못 팔겠다고 하니 세트업체들도 가격을 올려서 사고 있는 상황"이라고 전했다.

김동원 본부장도 "삼성전자, SK하이닉스는 최근 큰 폭의 주문 증가에도 실수요 증가를 확인 전까지 보수적인 감산 정책을 지속할 것"이라며 "D램, 낸드 가격의 상승 탄력성은 내년 1분기로 갈수록 확대될 전망"이라고 밝혔다.

AI 시장에서 핵심 메모리로 급부상한 고대역폭메모리(HBM) 공급 확대도 흑자전환의 핵심 열쇠다. 최근 삼성전자도 엔비디아와 제품 적합성 테스트를 마치고 HBM 제품 공급 계약을 체결한 것으로 전해졌다. SK하이닉스와 마이크론도 고대역폭메모리(HBM) 큰손 구매자인 엔비디아로부터 각각 수억달러에 달하는 선수금을 받은 것으로 알려졌다.

다만 차세대 제품인 HBM3E의 경우 SK하이닉스가 1b(10나노 5세대) D램으로 제품 테스트를 통과했지만 아직 삼성전자는 1a나노(10나노 4세대) 제품으로 HBM3E를 생산 중이다.

김선우 메리츠증권 연구원은 "삼성전자 역시 최근 뒤늦게 엔비디아 향 HBM 계약에 드디어 성공했다"면서도 "HBM3E에 있어서는 삼성이 1a나노 공정이라는 상대적 비교 열위 상황에서 메탈공정 추가 등 비용 증가요인들이 수반되었을 것"이라고 전했다.

박유학 키움증권 연구원 역시 "올해 연말과 내년 연초에 엔비디아를 포함한 주요 고객들로의 HBM3 공급이 본격화되고, 내년에 HBM3E 양산화를 위한 의미 있는 성과도 이룰 전망"이라며 "삼성전자의 HBM 생산능력도 현재 대비 2배 이상 급등하며 HBM3 공급부족에 대한 우려가 점차 완화되기 시작할 것으로 보인다"고 말했다.

한편 삼성 내부에서는 4분기 D램 흑자전환을 위해서는 재고자산평가를 어떻게 하는지에 따라 결정될 것으로 보고 있다. 회사 관계자는 "1월 9일께 잠정실적을 발표할 예정인데 아직까지는 실적이 어떻게 나올지 알 수 없다"면서 "보수적으로 회계 기준을 적용하고 있어 결과는 뚜껑을 열어봐야 알 수 있을 것"이라고 전했다.

삼성전자는 올해 상반기 연결기준 3조5695억원의 손실을 쌓았고, 3분기에도 4조91943억원을 기록했다. 3분기 말 기준 재고자산도 55조2560억원으로, 지난 2분기 말 55조5048억원보다 0.4% 줄어드는데 그쳤다. 하지만 연말 들어 D램과 낸드의 가격이 상승세인 점을 감안했을 때 재고평가손실 충당금이 앞으로 실적 개선을 이끌 변수로 제기된다.

김영건 미래에셋증권 연구원은 "삼성전자는 다소 보수적 회계기준 적용으로 메모리의 재고평가손실 충당금이 추가 반영돼 지난 3분기 이익이 추정치 대비 소폭 하회했다"며 "4분기 D램 이익 폭 확대가 본격화되면 실적 상향을 견인할 예정"이라고 분석했다.