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SK하이닉스, TSV 투자 2배 확대
김민기 기자
2024.01.25 16:58:49
낸드, 재평손 환급 4분기 4~5000억 수준, 투자효율성 강화
이 기사는 2024년 01월 25일 16시 58분 유료콘텐츠서비스 딜사이트 플러스에 표출된 기사입니다.
SK하이닉스 경영진이 질의 응답을 진행하고 있다. (왼쪽부터) SK하이닉스 김주선 AI 인프라 담당 사장, 김종환 D램 개발 담당 부사장, 곽노정 대표이사 사장, 김영식 제조기술 담당 부사장, 최우진 P&T 담당 부사장 (제공=SK하이닉스)

[딜사이트 김민기 기자] SK하이닉스는 올해 효율적이고 안정적인 케팩스(CAPEX‧시설 투자)를 통해 상대적으로 수요가 높은 HBM과 DDR5에는 힘을 싣고 기존 레거시 제품은 감산을 이어가는 등 생산을 줄일 전망이다. 지난해 4분기 D램과 낸드플래시 가격이 깜짝 반등하면서 재고자산평가손실의 환입이 이뤄진 것이 실적 반등의 발판을 마련한 만큼 올해도 투자환경을 고려해 신중히 투자를 이어갈 계획이다.


김우현 SK하이닉스 CFO(부사장)는 25일 진행한 컨퍼런스콜에서 "4분기 낸드는 업계 감산과 고객 수요 개선에 따른 가격 회복 기조 속에 저수익 제품 판매 지양, 프리미엄 제품 비중 확대 등으로 ASP가 전분기 대비 크게 상승했다"며 "LCM(저가법) 평가에 따라 기존에 인식한 재고평가손실충당금의 환입이 있었으며, 그 규모는 4분기 약 4000~5000억원 수준"이라고 말했다. 이어  "올해는 인공지능(AI) 반도체 수요 증가에 대응해 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 TSV(실리콘관통전극) 생산능력을 2배 확대할 계획"이라고 밝혔다.


올해 HBM 시장은 여전히 대형 고객의 수요 성장세도 유지되지만 AI 주도권 확보를 위한 빅테크 업체들의 경쟁이 본격화되고 있다. 클라우드서비스(CSP) 업체들의 자체 프로젝트 개발 등에도 채용이 확대됨에 따라 HBM 수요처가 다변화될 예정인 만큼 수요도 늘어날 것으로 기대된다. 나아가 HBM의 경우 일반 D램 제품 대비 동일 생산량 양산을 위해 요구되는 케파가 최소 2배 이상 증가한다. 케파를 늘리지 않으면 HBM 생산을 늘릴수록 일반 D램에 할당 가능한 웨이퍼 케파가 축소될 수밖에 없다.

이에 대해 김규현 SK하이닉스 D램 마케팅 담당은 "수요 가시성 확보 하에 지난해 대비 올해 TSV 케파를 약 2배 확대할 계획"이라며 "추가 투자에 대해서는 중장기 수요와 시장 환경, 공급체인 현황 등을 종합적으로 고려해 신중하게 결정하겠다"고 전했다.


이와 더불어 올해 수요가 본격적으로 발생할 HBM3E 제품의 경우도 고객의 요구 일정에 맞춰 올해 양산 준비가 순조롭게 진행되고 있으며 상반기 중에 공급을 시작할 예정이다. HBM의 수요 성장은 연평균 약 60% 수준으로 전망했다. 더불어 메모리반도체 시장의 경우 10% 중후반 수준의 성장률을 보일 것으로 전망했다. 이외 재고 수준 정상화에 맞춰 감산 규모도 점진적으로 조정되겠지만, 이로 인해 가격이 하락하는 상황은 벌어지지 않을 것으로 내다봤다.

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김 담당은 "다양한 HBM 제품으로 고객의 요구에 대응할 수 있도록 하겠다"며 "AI시장의 리딩 플레이어가 될 뿐만 아니라 AI 시장의 큰 비중을 차지할 CSP 및 AI 칩셋(Chipset) 업체를 포함한 잠재 고객까지 비즈니스 영역을 확장할 계획"이라고 밝혔다.


그는 또한 "메크로 환경 등 여러 변수에 의해 달라질 수 있으나 올해 D램과 낸드 모두 10% 중후반의 수요 성장률을 예상한다"며 "생산증가율은 한 자릿수에 그칠 것으로 보여 수요성장률이 생산증가율을 크게 상회할 것으로 예상된다"고 말했다. 이어 "전통적으로 하반기 수요 강세를 보이는 PC와 모바일은 올해 출하량이 성장세로 돌아서고 새로운 기능이 추가되는 하이엔드 제품이 수요를 견인할 것"이라며 "채용량 증가율은 예년 수준인 10% 이상이 전망된다"고 덧붙였다.


다만 SK하이닉스는 하이엔드 제품에 대한 투자는 늘리지만 레거시 제품에 대한 투자는 줄이면서 올해도 보수적인 투자 기조를 유지할 것이라고 강조했다. 지난해에도 수요 둔화에 대응하기 위해 케팩스를 전년 대비 50% 이상 줄인 바 있다. 올해 이후 투자 방향성 관련해서는 미래 성장 인프라 준비는 선제적으로 진행하겠지만 성장성과 재무구조 개선 간 적정 밸런스를 확보하면서 투자 수준을 결정해 나갈 계획이다.


김 CFO는 "올해 가격이 상승하고 지난해 대비 높은 메모리 수요증가율이 예상되지만, 철저히 고객 수요에 기반해 가시성이 확보된 제품의 생산 확대를 위해 투자할 계획"이라며 "성장성과 수익성을 확신할 수 있는 제한된 영역에 투자를 집중해 과거처럼 투자증가가 공급과잉으로 이어지는 사이클이 되지 않도록 하겠다"고 강조했다.


일각에서는 올해 중 메모리 반도체 재고 수준이 정상화되는 시점에 다시 공급이 많아져 회복세에 부정적인 영향을 줄 수 있다는 우려도 제기되고 있다. 공급업체들의 가동률 증가로 메모리 업황 회복이 예상보다 일찍 끝날 것이라는 지적이다.


이에 대해 김 담당은 "올해 공급업체들이 생산을 확대하려는 제품은 고객 수요가 증가하고 있는 고성능, 고용량 제품인 DDR5와 HBM과 같은 고부가가치 제품"이라면서 "수요가 적고 재고 소진이 필요한 부분은 감산 기조를 유지할 것이기에 올해 생산 증가율은 제한적이며 메모리 업황은 개선세가 지속될 것"이라고 판단했다.


미국의 장비 반입 제재를 받고 있는 중국 우시 공장에 대해서는 공정 전환을 통해 활용 기간을 연장할 방침이다. SK하이닉스는 지금까지 우시 공장은 1a D램 보다 1, 2세대 뒤처진 레거시 제품을 생산해왔다. 우시 공장은 지난해 하반기 미국 정부로부터 예외적으로 장비 반입을 허용하는 '검증된 최종사용자(VEU)'로 지정된 데 따라 선단공정 생산이 기능해졌다.


한편 SK하이닉스는 지난해 4분기 연결기준 영업이익이 3460억3400만원으로 흑자전환 했다. 같은 기간 매출액은 11조3055억원으로 47.4% 늘었고, 당기순손실은 1조3794억원으로 손실 폭이 63.1% 줄었다. 실적 반등의 주요 원인은 D램과 낸드의 가격 반등으로 인한 평균판매단가(ASP)가 상승과 이로 인한 재고자산평가손실의 환입이다.

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