삼성전자, MRAM 기반 '인-메모리 컴퓨팅' 첫 구현
네이처紙 게재…전력소모 낮아 '차세대 저전력 AI 칩' 유력 기술 꼽혀
MRAM 기반 인-컴퓨팅 구현 연구에서 제1저자를 맡은 삼성전자 정승철 전문연구원


[딜사이트 백승룡 기자] 삼성전자 연구진이 자기저항메모리(MRAM)를 기반으로 한 '인-메모리(In-Memory) 컴퓨팅'을 세계 최초로 구현, 연구 결과를 세계적인 학술지 '네이처(Nature)'에 게재했다.


13일 삼성전자에 따르면 인-메모리 컴퓨팅은 메모리 내에서 데이터의 저장 뿐 아니라 데이터의 연산까지 수행하는 최첨단 칩 기술이다. 기존 컴퓨터는 데이터의 저장을 담당하는 메모리 칩과 데이터의 연산을 책임지는 프로세서 칩을 따로 나누어 구성하는 반면, 인-메모리 컴퓨팅은 메모리 내 대량의 정보를 이동 없이 메모리 내에서 병렬 연산한다는 특징이 있다.


이 때문에 전력 소모가 현저히 낮아, 차세대 저전력 인공지능(AI) 칩을 만드는 유력한 기술로 주목받고 있다.


그간 저항메모리(RRAM)와 상변화메모리(PRAM) 등 비휘발성 메모리를 활용한 인-메모리 컴퓨팅의 구현은 지난 수년간 전 세계적으로 관심이 높은 연구 주제였다. 하지만 또 다른 비휘발성 메모리인 MRAM은 데이터 안정성이 높고 속도가 빠른 장점에도 불구하고 인-메모리 컴퓨팅으로 구현되지 못했다. 낮은 저항값을 갖는 특성으로 인해 인-메모리 컴퓨팅에 적용해도 전력 이점이 크지 않았기 때문이다.


삼성전자 연구진은 MRAM의 한계를 기존의 '전류 합산' 방식이 아닌 '저항 합산' 방식으로 접근하면서 저전력 인-메모리 컴퓨팅 설계에 성공했다.


삼성전자는 "MRAM 기반 인-메모리 컴퓨팅 칩의 성능을 인공지능 계산에 응용한 숫자 분류에서는 최대 98%, 얼굴 검출에서는 93%의 정확도로 동작하는 것을 검증했다"고 말했다. 이어 "이번 연구는 시스템 반도체 공정과 접목해 대량 생산이 가능한 비휘발성 메모리인 MRAM을 세계 최초로 인-메모리 컴퓨팅으로 구현하고, 차세대 저전력 AI 칩 기술의 지평을 확장했다는데 큰 의미가 있다"고 설명했다.


정승철 삼성전자 종합기술원 전문연구원은 "인-메모리 컴퓨팅은 메모리와 연산이 접목된 기술로, 기억과 계산이 혼재돼 있는 사람의 뇌와 유사한 점이 있다"며 "이번 연구가 향후 실제 뇌를 모방하는 뉴로모픽 기술의 연구 및 개발에도 도움이 될 수 있을 것"이라고 말했다.


삼성전자는 초격차 메모리 기술 역량을 시스템 반도체 기술과 접목, 차세대 컴퓨팅 및 인공지능 반도체 분야에서 지속적으로 기술 리더십을 확장해 나갈 계획이다.


한편 이번 연구는 삼성전자 종합기술원 정승철 전문연구원이 제1저자로, 함돈희 종합기술원 펠로우 및 하버드대학교 교수와 김상준 종합기술원 마스터가 공동 교신저자로 참여했다. 삼성전자 종합기술원, 반도체연구소, 파운드리사업부 연구원들도 공동으로 연구에 참여했다.

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